三星电子推出3纳米制程工艺 将采用GAA技术

11月22日消息，据国外媒体报道，上周六，三星电子推出了多款与3纳米芯片制造工艺相关、有助于强化代工生态系统战略的设计工具和技术。

根据此前消息，三星电子的3纳米制程工艺将采用GAA技术。与基于FinFET技术的5纳米工艺相比，三星首个3纳米GAA工艺节点的性能将提升30%，功耗将降低50%，芯片面积将减少35%。

今年10月份，三星电子宣布，它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片，这一时间表将在台积电之前。据悉，台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片。如果按照三星电子的计划，它将成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。

上周，外媒报道称，AMD和高通可能将成为三星3纳米芯片制程工艺的首批客户。

关键词： 三星电子 3纳米 制程工艺 GAA技术

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